（国）産業技術総合研究所は11月10日、直径6インチ（1インチは25.4mm）級のシリコンカーバイド（SiC）パワー半導体デバイスの量産研究ラインを同研究所（茨城・つくば市）内の「つくばイノベーションアリーナ（TIA）パワーエレクトロニクス研究拠点」に構築することになったと発表した。
SiCは、シリコンに比べ大幅な省エネルギー（電力損失100分の1以下）を実現できることから次世代のパワー半導体として世界各国で研究開発が進められている。
TIAは、2009年に同研究所、物質・材料研究機構、筑波大学、高エネルギー加速器研究機構、経団連が中核となって設立されたパワーエレクトロニクスの研究拠点。これまでに先端基礎研究を行う「第1ライン」、3インチ級SiCパワーデバイスの量産技術開発のための「第2ライン」を構築済みで、今回設置するのはそれに続く「第3ライン」。住友電気工業（株）などと共同で構築する。
第3ラインを設置するのは、同研究所西事業所のスーパークリーンルーム研究棟。面積1,500㎡のクリーンルーム内に6インチ級SiCウエハーのプロセスを実現できるラインを設ける。
産総研は、「第3ラインを活用して学生、研究者、産業界のエンジニアが一体となったオープンイノベーションの拠点を形成する」といっている。
