(独)産業技術総合研究所と東京大学は6月11日、Ⅲ‐Ⅴ族(3‐5族)化合物半導体とゲルマニウムをチャネル(情報の通路)に使った次世代の高性能トランジスタを世界で初めて実現したと発表した。
　既存のシリコン製トランジスタは、性能向上に限界があるとされ、それを突破する候補として期待されているのが元素周期表のアルミニウム、ガリウム、インジウムなどのⅢ族元素と窒素、リン、ひ素などのⅤ族元素からなるⅢ‐Ⅴ族化合物半導体。
　産総研・東大グループは、「基板貼り合わせ技術」と呼ばれる方法を使いインジウム・ガリウム・ひ素をゲルマニウム基板上に集積、高い電子移動度を持つⅢ‐Ⅴ族チャネルと、高い正孔(ホール)移動度を持つゲルマニウムチャネルを持つ基板の作製に成功、シリコン製トランジスタを超える性能を持つCMOS(相補型金属酸化膜半導体)トランジスタを作ることに成功したもの。
　Ⅲ‐Ⅴ族化合物半導体製トランジスタを実用化するには、既存のシリコンLSI製造技術で量産できるようにする必要がある。それには、Ⅲ‐Ⅴ族のチャネルをシリコン基板上に集積する必要があるが、従来の結晶成長法でそれを行うのは難しいと見られている。
　産総研・東大グループは、その壁を基板直接張り合わせ技術を利用して打ち破ることを提案しており、今回開発した基本技術を応用すれば次世代高性能CMOSトランジスタが実用化できると見ている。

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